韩世飞，中国科学院半导体研究所博士、清华大学博士后，兼具深厚学术背景与产业化视野的复合型领军人才。作为核心骨干参与北京市三项科研项目，并以项目负责人身份承担了科技部“颠覆性技术创新”重点专项，实现从实验室到产业化的跨越。针对碳化硅衬底加工“卡脖子”难题，首创双脉冲高效低损耗切片技术，通过精确调控激光改质层裂纹扩展，实现“冷加工”精准剥离。8英寸碳化硅单片晶圆切片时间由50分钟压缩至25分钟，效率与质量实现双飞跃。2025年带领团队实现全球首例12英寸碳化硅晶圆激光剥离，成为全球碳化硅加工领域的里程碑。6/8英寸设备通过多家客户验证，性能达国际先进水平。
